دیود شاتگی اینفینیون SDT12S60

توضیحات

دیود شاتگی اینفینیون Infineon مدل SDT12S60، یک قطعه نیمه‌ هادی است که از یک اتصال فلزی روی لایه‌ ای از ماده سیلیکون کاربید (SiC) نوع n تشکیل شده‌ است. این اتصال فلزی با ماده SiC یک مانع شاتکی تشکیل می‌ دهد که اجازه عبور جریان را تنها در یک جهت می‌ دهد. دیودهای سد شاتکی SiC مزایای متعددی نسبت به دیودهای معمولی دارند، از جمله افت ولتاژ رو به جلو کمتر، زمان بازیابی معکوس کوتاه‌ تر، ولتاژ شکست بالاتر و عملکرد در دمای بالاتر.

داده های فنی

  • شرح: دیود شاتکی SiC
  • ولتاژ – DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600 ولت
  • جریان – میانگین یکسو شده (Io): 12 آمپر
  • زمان بازیابی معکوس (trr): 0 نانوثانیه
  • ظرفیت @ Vr، F: 450 پیکوفاراد @ 1 ولت، 1 مگاهرتز
  • نوع نصب: سوراخ داخلی
  • دمای عملیاتی – محل اتصال: -55°C ~ 175°C

برای مشاهده سایر تجهیزات اتوماسیون صنعتی کلیک کنید.

کاربردهای دیود شاتگی اینفینیون Infineon مدل SDT12S60

  • الکترونیک قدرت: دیود شاتکی SDT12S60 در کاربردهای الکترونیک قدرت، مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، اینورترها و درایوهای موتور استفاده می‌ شود. این محصول به کاهش تلفات توان، افزایش راندمان و بهبود چگالی توان کمک می‌ کند.
  • خودرو: دیودهای شاتکی SiC در خودروهای الکتریکی (EV) و خودروهای هیبریدی الکتریکی (HEV) برای بهبود راندمان و افزایش برد استفاده می‌ شوند. آنها همچنین در شارژرهای باتری، مبدل‌ های DC-DC و شارژرهای داخلی استفاده می‌ شوند.
  • هوافضا و دفاع: دیود شاتکی SiC SDT12S60 در کاربردهای هوافضا و دفاع، مانند منابع تغذیه، درایوهای موتور و واحدهای کنترل الکترونیکی (ECU) استفاده می‌ شوند. آنها به کاهش وزن، اندازه و پیچیدگی سیستم‌ ها کمک می‌ کنند و در عین حال قابلیت اطمینان و عملکرد را بهبود می‌ بخشند.
  • انرژی تجدیدپذیر: این دیود شاتکی SiC در سیستم‌ های انرژی تجدیدپذیر، مانند اینورترهای خورشیدی و توربین‌ های بادی استفاده می‌ شود. به بهبود راندمان، کاهش هزینه سیستم و افزایش چگالی توان کمک می‌ کند.
  • الکترونیک مصرفی: دیود شاتکی SiC در کاربردهای الکترونیک مصرفی، مانند لپ‌ تاپ، تلفن هوشمند و تبلت استفاده می‌ شود. به بهبود عمر باتری، کاهش زمان شارژ و افزایش راندمان انرژی کمک می‌ کند.

مشخصات

نام محصول

دیود شاتگی اینفینیون Infineon مدل SDT12S60

ویژگی

شرح: دیود شاتکی SiC
ولتاژ – DC معکوس (Vr) (حداکثر): 600 ولت
جریان – میانگین یکسو شده (Io): 12 آمپر
زمان بازیابی معکوس (trr): 0 نانوثانیه
ظرفیت @ Vr، F: 450 پیکوفاراد @ 1 ولت، 1 مگاهرتز
نوع نصب: سوراخ داخلی
دمای عملیاتی – محل اتصال: -55°C ~ 175°C

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

نوشتن دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

dd